Полупроводниковые материалы являются основными материалами микроэлектронных устройств и фотоэлектрических устройств. Их примесные и дефектные характеристики серьезно влияют на производительность устройства. С увеличением интеграции микроэлектронных устройств и эффективности преобразования фотоэлектрических устройств возрастают требования к полупроводниковому сырью. Чтобы удовлетворить потребности промышленного производства, метод обнаружения материала должен иметь более высокую чувствительность и более высокую скорость измерения, избегая при этом повреждения материала. Носители являются функциональными носителями полупроводниковых материалов, и их транспортные характеристики определяют характеристики различных оптоэлектронных устройств, включая время жизни носителей, коэффициент диффузии и скорость поверхностной рекомбинации. Технология оптического излучения несущей является своего рода полностью оптическим методом неразрушающего контроля для одновременного измерения параметров переноса несущей, но этот метод все еще имеет некоторые ограничения в измерении и характеристике параметров переноса несущей, такие как теоретическая модель Применимость, точность измерения и скорость параметров.
При поддержке Национального фонда естественных наук Китая Институт оптоэлектронных технологий Академии наук Китая поставил перед собой задачу решить указанные проблемы и создал модель нелинейного излучения на фотоносителях с использованием традиционных полупроводниковых кремниевых материалов в качестве объекта исследования, и на этой основе соответственно предложенный многоточечный свет Технология радиационного излучения и технология радиационной визуализации в стационарных фотоносителях подтвердили эффективность вышеуказанной технологии с помощью имитационных расчетов и экспериментальных измерений. Технология излучения многоточечного несущего света может полностью исключить влияние частотной характеристики измерительной системы на результаты измерений и повысить точность измерения транспортных параметров несущей. Монокристаллический кремний P-типа с удельным сопротивлением 0. 1 - 0. {{6}} Ω? См. Например, предложенная технология излучения многоточечного несущего света уменьшает неопределенность измерения времени жизни носителей, коэффициента диффузии и скорости поверхностной рекомбинации с традиционных ± 15. 9%, ± {{{{17 }}}} 9. 1% и 00 1 00 1 0 gt; От ± 50% до ± 1 0. 7%, ± {{1 6}}. 6% и ± 35. { {19}}%. Кроме того, стационарная технология формирования изображений с излучением фотоносителя упрощает теоретическую модель и измерительное устройство, скорость измерения значительно улучшается и имеет больший потенциал промышленного применения.